VBF-1200X-TSSG是一款顶部籽晶法晶体生长炉，可利用助溶剂法生长各种材料单晶。配备精密旋转提拉机构可用于顶部籽晶助溶剂法生长各种晶体材料，提拉和旋转速度采用PLC触摸屏控制，操作简便。箱式炉采用氧化铝纤维作为炉膛材料，以电阻丝为加热元件，其腔体尺寸为φ240mm×200mm（H），最高温度可达1200℃。采用欧陆仪表进行控温，可根据不同的客户需求来设定升降温程序（最高24段），控温精度可达±0.1℃。
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VBF-1700-LPE是为生长YIG单晶而设计的液相外延生长炉。
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SKJ-50CZ是一款高质量的CZ晶体生长炉，可针对于材料的实验探索，也可以适用于晶体材料的生产。此款晶体生长炉已经被证实可以是拉督种氧化物单晶和金属单晶，如蓝宝石 GGG.YAG.IaAlO3.Si和Ge 等，最高温度可达2100℃，最大可长出晶体尺寸为3英寸。
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SKJ-LCZ是一款特殊的提拉法（CZ）晶体生长炉（采用悬浮熔炼对金属样品熔化，最高温度可达2000℃）。此系统采用组成∶高频感应加热电源，高真空腔体，水冷铜坩埚（悬浮熔炼）和精密提拉机构。悬浮熔炼避免了坩埚的污染，可得到高纯度的金属（合金）单晶。
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SK-VE2000是款小型火焰法单晶生长炉，其温度可以高达2000℃。设备中配有质量流量计可调节氢气和氧气气流量，同时可调节料斗震动频率调节原粉料出料量，籽晶台可自动下降和转动。此设备专门设计用于生长各种氧化物晶体，如SrTiO3，Al2O3和TiO2单晶等。
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SP-MSM-4CZ是一款采用4电弧的提拉法单晶生长炉（采用Ar气电弧对样品熔融，提拉装置提拉），其温度可达3000℃。腔体为304不锈钢腔体（带有水冷夹层），真空度可达10-5Torr，此款单晶炉特别适合生长高熔点的单晶，如Ti单晶，YSZ，SiC和CeRh2Si等等。
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VBF-1700X-TSSG是—款顶部籽晶法晶体生长炉，可利用助溶剂法生长各种材料单晶。箱式炉采用氨化铝材楼料，以MoSi2为加热元件，其腔体尺寸为φ240mm×300mm（H），最高温度可达1700℃。24段可编程控制器，可根据不同的客户需求来设定升降温程序，控温精度可达±0.1℃，配备精密旋转提拉机构可用于生长各种晶体材料，提拉速度和旋转速度均可根据客户需求进行定制。
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SKJ-BG-1200是一款小型的1200℃布里奇曼单晶生长炉，配有内径Φ72mm石英管和精密炉体移动机构（最大行程200mm）， 此设备设计用于在气氛控制环境下生长小尺寸的单晶或材料定向凝固。
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SKJ-BG1650是一款高质量的布里奇曼晶单晶生长炉，最高温度口达1650℃。此款设备可生长出各种金属单晶 目前本公司用此款设备已经生长出Cu，Ag，Au和Mg等单晶，其直径可达37mm。电动坩埚放置系统，方便与放样和取样。此设备适合于生长各种金属，氧化物等晶体，也和作为多晶棒定向凝固使用。
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2200℃高温顶部籽晶溶液生长炉（TSSG）是一套有高频感应加热系统和密封石英腔室组成，采用 28 段可编程温度控制器控制升温的晶体生长炉系统，带有石墨坩埚与提拉机构，可用于碳化硅、蓝宝石等晶体的生长。
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IMCS-2000-CZ是一款小型的提拉法（CZ）晶体生长炉。可用于生长各种金属和氧化物单晶，所生长晶体的直径小于25mm。此设备最高温度可达2100℃，可用于生长Al2O3，GGG，YAG，LaAlO3，Si，Ge和各种金属单晶等。
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